NANDフラッシュについて（続編）

今回はNAND フラッシュの続編についてつぶやきたいと思います。

NAND フラッシュは日本発祥で当時東芝に在籍していた舛岡富士雄氏が発明したものです。
またNAND型と対比されるNOR型についても同氏が発明しました。

下記のスペックだけを見ればNAND型は非常に劣っているように見えます。
NOR型はFlashセルがビット線とソース線に接続されているのに対してNAND型はセルが直列に接続されており単純な構造で構成されています。
そのためNAND型は大容量化が容易であるのに対して、構造が複雑なNOR型は大容量化に向いていないことが分かります。

	NOR型	NAND型	SRAM	DRAM
不揮発性(電源Offでもデータ保持)	○	○	×	×
読み出し速度	高速	低速	超高速	高速
書き込み速度	低速	中速	超高速	高速

NANDフラッシュメモリは128メガビット～512ギガビットまで拡充されておりサーバー、基地局、ゲーム、AR、スマホ等に使用されており、大容量化が止まることがありません。

一方で大容量化は容易ではなく、1セルあたりのビット数が1ビットであるため、単純に大容量化するとチップサイズも比例して大きくなり、Tr数が増えることによりテスト時間の増大、それに伴う歩留まりの低下が起こりました。

そこで出てきたのがSLCの後継であるMLCの技術革新です。
SLCはシングルレベルセルの略であり、一般的な“L”と“H”の2値で制御しています。
それに対してMLCはマルチレベルセルと呼ばれ流すための電圧が変わる（Multi Vth）現象を利用することで、1セルあたり4段階の電圧レベルを用いて2ビットの容量を実現しました。
セル数が同じ場合、1セルあたり2ビットのMLCはSLCの2倍の容量になり3ビットならばSLCの3倍になることから大容量化が進んでいます。

当社では最新デバイスのMLCやTLC NANDフラッシュの対応も可能となっておりますので、お困りごとがあれば何なりとご相談ください。